2SB1188T100P

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Spezifikation

Artikelnummer

2SB1188T100P
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PNP 32V 2A SOT-89
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SB1188T100P.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

32V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 200mA, 2A
Transistor-Typ

PNP
Supplier Device-Gehäuse

MPT3
Serie

-
Leistung - max

2W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-243AA
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 2A 100MHz 2W Surface Mount MPT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

82 @ 500mA, 3V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

2A
Basisteilenummer

2SB1188

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Das Folgende sind "2SB1188T100P" -Einziper.

2SB1197KT146R

Beschreibung: TRANS PNP 32V 0.8A SOT-346

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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2SB1188T100P

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