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20466571SR159-200TE25-Bild.LAPIS Semiconductor

1SR159-200TE25

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SR159-200TE25
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    980mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    PMDS
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    1SR159200TE25
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount PMDS
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
1SR139-600T-31

1SR139-600T-31

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VS-60APF12-M3

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1SR154-600TE25

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Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
1SR153-400T-31

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

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BYM11-50HE3/97

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CMPD5001 BK

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1SR156-400TE25

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1SR153-400T-32

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1SR154-400TE25

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Beschreibung:

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1SR124-400AT-81

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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1SR124-400AT-82

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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LL5817 L0G

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1SR139-400T-31

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1SR139-600T-32

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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V12P15-M3/H

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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1SR154-400TE25A

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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1N1203

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1SR139-400T-32

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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