Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > LL5817 L0G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
3095334

LL5817 L0G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
5000+
$0.141
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    LL5817 L0G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    750mV @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    20V
  • Supplier Device-Gehäuse
    MELF
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-213AB, MELF
  • Andere Namen
    LL5817 L0G-ND
    LL5817L0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Schottky 20V 1A Surface Mount MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500µA @ 20V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    110pF @ 4V, 1MHz
RS2D-13-F

RS2D-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
LSM545JE3

LSM545JE3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 5A DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
LL5

LL5

Beschreibung: HEX KEY L-SHAPE 5/64" 3.25"

Hersteller: Klein Tools
vorrätig
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
15ETX06FP

15ETX06FP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SS3P5HE3/85A

SS3P5HE3/85A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
20ETF06STRR

20ETF06STRR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RGP20JHE3/54

RGP20JHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A GP20

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
NRVS1504T3G

NRVS1504T3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
HSM590JE3/TR13

HSM590JE3/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 5A DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
LL5819 L0G

LL5819 L0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SB2M-M3/5BT

SB2M-M3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RJU4351SDPE-00#J3

RJU4351SDPE-00#J3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
1N4383GPHE3/54

1N4383GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
VS-80EBU02HF4

VS-80EBU02HF4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 80A POWERTAB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
LL5818 L0G

LL5818 L0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 1A MELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HS1DL MQG

HS1DL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SE15PD-M3/84A

SE15PD-M3/84A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S8CM-M3/I

S8CM-M3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
FS1D-LTP

FS1D-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden