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IRG7CH54K10EF-R

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IRG7CH54K10EF-R
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.5V @ 15V, 10A
  • Testbedingung
    600V, 50A, 5 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    75ns/305ns
  • Schaltenergie
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    Die
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Die
  • Andere Namen
    IRG7CH54K10EF
    IRG7CH54K10EF-ND
    SP001542088
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    -
  • Gate-Ladung
    290nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT 1200V Surface Mount Die
IRG7CH73K10EF-R

IRG7CH73K10EF-R

Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IRG7CH42UEF

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Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IRG7CH75UEF-R

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Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH50UEF

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Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH44K10EF

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Beschreibung: IGBT CHIP WAFER

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IRG7CH42UED

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IRG7CH50UED

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IRG7CH75K10EF

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IRG7CH75K10EF-R

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IRG7CH50K10EF

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Beschreibung: IGBT CHIP WAFER

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IRG7CH81K10EF

IRG7CH81K10EF

Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH81K10EF-R

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Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IRG7CH35UEF

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Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH46UEF

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Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH73UED-R

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Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH75UED-R

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IRG7CH73UEF-R

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Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH37K10EF

IRG7CH37K10EF

Beschreibung: IGBT CHIP WAFER

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IRG7CH73K10EF

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IRG7CH46UED

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