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IRG7CH50K10EF

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IRG7CH50K10EF
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT CHIP WAFER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 25A
  • Testbedingung
    600V, 35A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    50ns/280ns
  • Schaltenergie
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    Die
  • Serie
    -
  • Verpackung / Gehäuse
    Die
  • Andere Namen
    SP001532664
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • Gate-Ladung
    170nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Trench Field Stop 1200V 35A Surface Mount Die
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    35A
IRG7CH35UEF

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Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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IRG7CH42UED

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IRG7CH50UEF

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IRG7CH73K10EF-R

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IRG7CH28UEF

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IRG7CH73K10EF

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IRG7CH73UED-R

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IRG7CH54K10EF-R

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IRG7CH46UED

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IRG7CH46UEF

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IRG7CH75K10EF-R

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IRG7CH37K10EF

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IRG7CH73UEF-R

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IRG7CH44K10EF

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