IRF7737L2TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7737L2TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7737L2TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DIRECTFET L6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9 mOhm @ 94A, 10V
Verlustleistung (max)

3.3W (Ta), 83W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DirectFET™ Isometric L6
Andere Namen

IRF7737L2TRPBFTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5469pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

134nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 31A (Ta), 156A (Tc) 3.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

31A (Ta), 156A (Tc)

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Das Folgende sind "IRF7737L2TRPBF" -Einziper.

IRF7707TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF7737L2TRPBF

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