IRF7706GTRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7706GTRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7706GTRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-TSSOP
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)

1.51W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Andere Namen

IRF7706GTRPBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2211pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 7A (Ta) 1.51W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7A (Ta)

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Das Folgende sind "IRF7706GTRPBF" -Einziper.

IRF7704TRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRF7706GTRPBF

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