International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7341TRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7341TRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7341TRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 4.7A, 10V
Leistung - max

2W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

*IRF7341TRPBF
IRF7341PBFCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 4.7A 2W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.7A
Basisteilenummer

IRF7341PBF

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Das Folgende sind "IRF7341TRPBF" -Einziper.

IRF7342D2TRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRF7341TRPBF

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