IRF7341GTRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF7341GTRPBF
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF7341GTRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 5.1A, 10V
Leistung - max

2.4W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SP001563394
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.1A

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IRF7341TRPBF

Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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