International Rectifier (Infineon Technologies)

IPL60R650P6SATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPL60R650P6SATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPL60R650P6SATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-ThinPak (5x6)
Serie

CoolMOS™ P6
Rds On (Max) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 2.4A, 10V
Verlustleistung (max)

56.8W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

IPL60R650P6SATMA1DKR
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

557pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 6.7A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount 8-ThinPak (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.7A (Tc)

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Das Folgende sind "IPL60R650P6SATMA1" -Einziper.

IPL60R285P7AUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4VSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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