International Rectifier (Infineon Technologies)

IPL60R2K1C6SATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPL60R2K1C6SATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 8TSON
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPL60R2K1C6SATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 60µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

Thin-PAK (5x6)
Serie

CoolMOS™ C6
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1 Ohm @ 760mA, 10V
Verlustleistung (max)

21.6W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

SP001163026
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 2.3A (Tc) 21.6W (Tc) Surface Mount Thin-PAK (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.3A (Tc)

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Das Folgende sind "IPL60R2K1C6SATMA1" -Einziper.

IPL60R180P6AUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4VSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPL60R2K1C6SATMA1

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