IPB50N10S3L16ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB50N10S3L16ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB50N10S3L16ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 60µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-3-2
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.4 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

100W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB50N10S3L-16
IPB50N10S3L-16-ND
IPB50N10S3L-16INTR
IPB50N10S3L-16INTR-ND
IPB50N10S3L16
IPB50N10S3L16ATMA1TR
SP000386183
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4180pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB50N10S3L16ATMA1" -Einziper.

IPB600N25N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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