International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB45N06S409ATMA2

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB45N06S409ATMA2
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB45N06S409ATMA2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 34µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-3-2
Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4 mOhm @ 45A, 10V
Verlustleistung (max)

71W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

SP001028652
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3785pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 45A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

45A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB45N06S409ATMA2" -Einziper.

IPB35N12S3L26ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL_100+

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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