International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB117N20NFDATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB117N20NFDATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB117N20NFDATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 270µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.7 mOhm @ 84A, 10V
Verlustleistung (max)

300W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB117N20NFDATMA1TR
SP001107232
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6650pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 84A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

84A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB117N20NFDATMA1" -Einziper.

IPB120N04S401ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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