International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB110N20N3LFATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB110N20N3LFATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200 D2PAK-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB110N20N3LFATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.2V @ 260µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-3
Serie

OptiMOS™ 3
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 88A, 10V
Verlustleistung (max)

250W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB110N20N3LFATMA1-ND
IPB110N20N3LFATMA1TR
SP001503864
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

76nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 88A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

88A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB110N20N3LFATMA1" -Einziper.

IPB10N03LB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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