International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB042N03LGATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB042N03LGATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB042N03LGATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

79W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB042N03LGATMA1CT
IPB042N03LGINCT
IPB042N03LGINCT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 70A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

70A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB042N03LGATMA1" -Einziper.

IPB049N08N5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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