International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB039N10N3GE8187ATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB039N10N3GE8187ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB039N10N3GE8187ATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 160µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-7
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

214W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Andere Namen

IPB039N10N3 G E8187
IPB039N10N3 G E8187-ND
IPB039N10N3 G E8187TR-ND
IPB039N10N3GE8187ATMA1TR
SP000939340
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8410pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

160A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB039N10N3GE8187ATMA1" -Einziper.

IPB03N03LB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

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