International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ42DN25NS3GATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSZ42DN25NS3GATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSZ42DN25NS3GATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 13µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TSDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

425 mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)

33.8W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSZ42DN25NS3 G
BSZ42DN25NS3 G-ND
BSZ42DN25NS3 GTR-ND
BSZ42DN25NS3G
BSZ42DN25NS3GATMA1TR
SP000781796
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

250V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 250V 5A (Tc) 33.8W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5A (Tc)

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Das Folgende sind "BSZ42DN25NS3GATMA1" -Einziper.

BSZ130N03MSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSZ42DN25NS3GATMA1

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