International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ12DN20NS3GATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSZ12DN20NS3GATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSZ12DN20NS3GATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TSDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 5.7A, 10V
Verlustleistung (max)

50W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSZ12DN20NS3GATMA1CT
BSZ12DN20NS3GCT
BSZ12DN20NS3GCT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11.3A (Tc)

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Das Folgende sind "BSZ12DN20NS3GATMA1" -Einziper.

BSZ146N10LS5ATMA1

Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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