International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ120P03NS3EGATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSZ120P03NS3EGATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSZ120P03NS3EGATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.1V @ 73µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TSDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.1W (Ta), 52W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSZ120P03NS3E G
BSZ120P03NS3E G-ND
BSZ120P03NS3EGATMA1TR
SP000709730
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3360pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Ta), 40A (Tc)

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BSZ120P03NS3GATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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