International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ0902NSATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSZ0902NSATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSZ0902NSATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TSDSON-8-FL
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.1W (Ta), 48W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSZ0902NS
BSZ0902NS-ND
BSZ0902NSATMA1TR
BSZ0902NSTR-ND
SP000854386
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 19A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

19A (Ta), 40A (Tc)

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Das Folgende sind "BSZ0902NSATMA1" -Einziper.

BSZ0909NSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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