International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ086P03NS3GATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSZ086P03NS3GATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSZ086P03NS3GATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.1V @ 105µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TSDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.1W (Ta), 69W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

BSZ086P03NS3 GCT
BSZ086P03NS3 GCT-ND
BSZ086P03NS3GATMA1CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4785pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57.5nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13.5A (Ta), 40A (Tc)

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BSZ067N06LS3GATMA1

Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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