BSR802NL6327HTSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSR802NL6327HTSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSR802NL6327HTSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

750mV @ 30µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-SC-59
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 3.7A, 2.5V
Verlustleistung (max)

500mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

BSR802N L6327INCT
BSR802N L6327INCT-ND
BSR802NL6327HTSA1CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1447pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 2.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 2.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 3.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC-59
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.7A (Ta)

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Das Folgende sind "BSR802NL6327HTSA1" -Einziper.

BSR606NH6327XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSR802NL6327HTSA1

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