BSR606NH6327XTSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSR606NH6327XTSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSR606NH6327XTSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 15µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-SC-59
Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 2.3A, 10V
Verlustleistung (max)

500mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

BSR606NH6327XTSA1-ND
BSR606NH6327XTSA1TR
SP000691160
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

657pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC-59
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.3A (Ta)

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Das Folgende sind "BSR606NH6327XTSA1" -Einziper.

BSR56

Beschreibung: JFET N-CH 40V 250MW SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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