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BSC093N04LSGATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC093N04LSGATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSC093N04LSGATMA1.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Prüfung

1900pF @ 20V
Spannung - Durchschlag

PG-TDSON-8
VGS (th) (Max) @ Id

9.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (Max)

4.5V, 10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

OptiMOS™
RoHS Status

Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13A (Ta), 49A (Tc)
Polarisation

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSC093N04LS GCT
BSC093N04LS GCT-ND
BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Hersteller-Teilenummer

BSC093N04LSGATMA1
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

24nC @ 10V
IGBT-Typ

±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2V @ 14µA
FET-Merkmal

N-Channel
Expanded Beschreibung

N-Channel 40V 13A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Drain-Source-Spannung (Vdss)

-
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

40V
Kapazitätsverhältnis

2.5W (Ta), 35W (Tc)

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Das Folgende sind "BSC093N04LSGATMA1" -Einziper.

BSC097N06NSTATMA1

Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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