International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC0909NSATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC0909NSATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSC0909NSATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.2 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 27W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSC0909NSATMA1CT
BSC0909NSATMA1CT-NDTR-ND
BSC0909NSCT
BSC0909NSCT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

34V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 34V 12A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Ta), 44A (Tc)

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Das Folgende sind "BSC0909NSATMA1" -Einziper.

BSC084P03NS3EGATMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSC0909NSATMA1

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