International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC019N06NSATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC019N06NSATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIFFERENTIATED MOSFETS
Bleifreier Status / RoHS Status

RoHS-konform
Datenblätte

BSC019N06NSATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.3V @ 74µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-TDSON (5x6)
Serie

OptiMOS™
RoHS-Status

RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.95 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

136W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSC019N06NSATMA1CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

52 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5.25nF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

77nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 100A (Ta) 136W (Ta) Surface Mount 8-TDSON (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Ta)

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Das Folgende sind "BSC019N06NSATMA1" -Einziper.

BSC020N03MSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSC019N06NSATMA1

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