International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC018NE2LSIATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC018NE2LSIATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSC018NE2LSIATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 69W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSC018NE2LSIATMA1CT
BSC018NE2LSICT
BSC018NE2LSICT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

29A (Ta), 100A (Tc)

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Das Folgende sind "BSC018NE2LSIATMA1" -Einziper.

BSC015NE2LS5IATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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