IXFN50N120SK

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Spezifikation

Artikelnummer

IXFN50N120SK
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

IXFN50N120SK.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.8V @ 10mA
Vgs (Max)

+20V, -5V
Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-227B
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 40A, 20V
Verlustleistung (max)

-
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1895pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 20V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1200V 48A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

48A (Tc)

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Das Folgende sind "IXFN50N120SK" -Einziper.

IXFN44N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation

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IXFN50N120SK

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