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2876321IS61WV25616BLS-25TLI-TR-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61WV25616BLS-25TLI-TR

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    IS61WV25616BLS-25TLI-TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    25ns
  • Spannungsversorgung
    2.4 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 25ns 44-TSOP II
  • Zugriffszeit
    25ns
IS61WV25616BLL-10BLI

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Beschreibung:

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48MGA

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