ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61DDB21M36C-250M3L

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Spezifikation

Artikelnummer

IS61DDB21M36C-250M3L
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS61DDB21M36C-250M3L.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.71 V ~ 1.89 V
Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II
Supplier Device-Gehäuse

165-LFBGA (13x15)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

165-LBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb (1M x 36) Parallel 250MHz 8.4ns 165-LFBGA (13x15)
Uhrfrequenz

250MHz
Zugriffszeit

8.4ns

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Das Folgende sind "IS61DDB21M36C-250M3L" -Einziper.

IS61DDB22M36A-300B4LI

Beschreibung: IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS61DDB21M36C-250M3L

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