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1885690IS43TR16640B-107MBLI-TR-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43TR16640B-107MBLI-TR

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    IS43TR16640B-107MBLI-TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR3
  • Supplier Device-Gehäuse
    96-TWBGA (9x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    96-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-TWBGA (9x13)
  • Uhrfrequenz
    933MHz
  • Zugriffszeit
    20ns
IS43TR16640B-15GBLI-TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

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IS43TR16640A-15GBLI-TR

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IS43TR16640B-125JBLI

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IS43TR16640B-15GBL

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IS43TR16640B-125KBLI

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