ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43R83200F-6TLI

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Spezifikation

Artikelnummer

IS43R83200F-6TLI
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS43R83200F-6TLI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

2.3 V ~ 2.7 V
Technologie

SDRAM - DDR
Supplier Device-Gehäuse

66-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Andere Namen

706-1423
706-1423-5
706-1423-5-ND
IS43R83200F-6TLI-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Mb (32M x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

700ps

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Das Folgende sind "IS43R83200F-6TLI" -Einziper.

IS43R86400D-5TL-TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS43R83200F-6TLI

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