ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43DR16320C-3DBLI

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Spezifikation

Artikelnummer

IS43DR16320C-3DBLI
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS43DR16320C-3DBLI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SDRAM - DDR2
Supplier Device-Gehäuse

84-TWBGA (8x12.5)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

84-TFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 333MHz 450ps 84-TWBGA (8x12.5)
Uhrfrequenz

333MHz
Zugriffszeit

450ps

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Das Folgende sind "IS43DR16320C-3DBLI" -Einziper.

IS43DR16320D-3DBL

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS43DR16320C-3DBLI

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