ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32800B-6T

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Spezifikation

Artikelnummer

IS42S32800B-6T
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.IS42S32800B-6T.pdf
2.IS42S32800B-6T.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

86-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2 (1 Year)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Mb (8M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 86-TSOP II
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5.5ns

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Das Folgende sind "IS42S32800B-6T" -Einziper.

IS42S32800B-6B-TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS42S32800B-6T

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