ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32160C-6BI

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Spezifikation

Artikelnummer

IS42S32160C-6BI
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.IS42S32160C-6BI.pdf
2.IS42S32160C-6BI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

90-WBGA (8x13)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

90-LFBGA
Andere Namen

Q5246106
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-WBGA (8x13)
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5.4ns

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Das Folgende sind "IS42S32160C-6BI" -Einziper.

IS42S32160C-75BL-TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS42S32160C-6BI

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