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5966404IS42S16400J-7B2LI-TR-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S16400J-7B2LI-TR

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  • Artikelnummer
    IS42S16400J-7B2LI-TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 64M PARALLEL 60TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-TFBGA (6.4x10.1)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    64Mb (4M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 60-TFBGA (6.4x10.1)
  • Uhrfrequenz
    143MHz
  • Zugriffszeit
    5.4ns
IS42S16400J-5TL-TR

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S16400J-6TLI

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Beschreibung:

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IS42S16400J-7BL-TR

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

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IS42S16800D-6B-TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54MINIBGA

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IS42S16400J-7TLI

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IS42S16800D-6B

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IS42S16400J-6BL

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