ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42RM16200C-75BLI

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Spezifikation

Artikelnummer

IS42RM16200C-75BLI
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IS42RM16200C-75BLI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

2.3 V ~ 2.7 V
Technologie

SDRAM - Mobile
Supplier Device-Gehäuse

54-TFBGA (8x8)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

54-TFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

32Mb (2M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile Memory IC 32Mb (2M x 16) Parallel 133MHz 6ns 54-TFBGA (8x8)
Uhrfrequenz

133MHz
Zugriffszeit

6ns

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Zahlungsmittel

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Das Folgende sind "IS42RM16200C-75BLI" -Einziper.

IS42RM16160D-7BLI

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS42RM16200C-75BLI

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