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40270771V65903S80BG8-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

71V65903S80BG8

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    71V65903S80BG8
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous ZBT
  • Supplier Device-Gehäuse
    119-PBGA (14x22)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    119-BGA
  • Andere Namen
    IDT71V65903S80BG8
    IDT71V65903S80BG8-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    9Mb (512K x 18)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 8ns 119-PBGA (14x22)
  • Basisteilenummer
    IDT71V65903
  • Zugriffszeit
    8ns
71V65803S150PFG8

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
vorrätig
71V65903S80BG

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)
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71V65903S80BQG8

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

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71V65903S80BGI

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71V65903S80BQ

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