71V65703S80BG8

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Spezifikation

Artikelnummer

71V65703S80BG8
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.71V65703S80BG8.pdf
2.71V65703S80BG8.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.135 V ~ 3.465 V
Technologie

SRAM - Synchronous ZBT
Supplier Device-Gehäuse

119-PBGA (14x22)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

119-BGA
Andere Namen

IDT71V65703S80BG8
IDT71V65703S80BG8-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 8ns 119-PBGA (14x22)
Basisteilenummer

IDT71V65703
Zugriffszeit

8ns

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Das Folgende sind "71V65703S80BG8" -Einziper.

71V65703S75BQG8

Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

71V65703S80BG8

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