71V25761S200PFG8

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Spezifikation

Artikelnummer

71V25761S200PFG8
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.71V25761S200PFG8.pdf
2.71V25761S200PFG8.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

3.135 V ~ 3.465 V
Technologie

SRAM - Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

100-TQFP (14x14)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

100-LQFP
Andere Namen

IDT71V25761S200PFG8
IDT71V25761S200PFG8-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 100-TQFP (14x14)
Uhrfrequenz

200MHz
Basisteilenummer

IDT71V25761
Zugriffszeit

3.1ns

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Das Folgende sind "71V25761S200PFG8" -Einziper.

71V25761S183BGI8

Beschreibung: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

71V25761S200PFG8

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