71256L85DB

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Spezifikation

Artikelnummer

71256L85DB
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

71256L85DB.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

85ns
Spannungsversorgung

4.5 V ~ 5.5 V
Technologie

SRAM - Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

28-CerDip
Serie

-
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

28-CDIP (0.600", 15.24mm)
Andere Namen

IDT71256L85DB
IDT71256L85DB-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

256Kb (32K x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 85ns 28-CerDip
Zugriffszeit

85ns

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Das Folgende sind "71256L85DB" -Einziper.

71256S100TDB

Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

71256L85DB

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