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101441571256L35YG8-Bild.IDT (Integrated Device Technology)

71256L35YG8

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    71256L35YG8
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    35ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    28-SOJ
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • Andere Namen
    IDT71256L35YG8
    IDT71256L35YG8-ND
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Kb (32K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 35ns 28-SOJ
  • Basisteilenummer
    IDT71256
  • Zugriffszeit
    35ns
Y005893R0000F0L

Y005893R0000F0L

Beschreibung: RES 93 OHM 0.3W 1% AXIAL

Hersteller: Vishay Precision Group
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