70V631S10BFG8

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Spezifikation

Artikelnummer

70V631S10BFG8
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

70V631S10BFG8.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

10ns
Spannungsversorgung

3.15 V ~ 3.45 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

208-FPBGA (15x15)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

208-LFBGA
Andere Namen

IDT70V631S10BFG8
IDT70V631S10BFG8-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (256K x 18) Parallel 10ns 208-FPBGA (15x15)
Basisteilenummer

IDT70V631
Zugriffszeit

10ns

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Das Folgende sind "70V631S10BFG8" -Einziper.

70V631S10PRFG8

Beschreibung: IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

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