70P259L65BYGI

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Spezifikation

Artikelnummer

70P259L65BYGI
Hersteller / Marke

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

70P259L65BYGI.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

65ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.9 V
Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

100-CABGA (6x6)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

100-TFBGA
Andere Namen

IDT70P259L65BYGI
IDT70P259L65BYGI-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

128Kb (8K x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 128Kb (8K x 16) Parallel 65ns 100-CABGA (6x6)
Zugriffszeit

65ns

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Das Folgende sind "70P259L65BYGI" -Einziper.

70P264L55BYGI8

Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 81CABGA

Hersteller: IDT (Integrated Device Technology)

vorrätig

70P259L65BYGI

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