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70P255L65BYGI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    70P255L65BYGI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    65ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    100-CABGA (6x6)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    100-TFBGA
  • Andere Namen
    IDT70P255L65BYGI
    IDT70P255L65BYGI-ND
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Kb (8K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 128Kb (8K x 16) Parallel 65ns 100-CABGA (6x6)
  • Zugriffszeit
    65ns
0805J1K00151KXT

0805J1K00151KXT

Beschreibung: CAP CER 150PF 1KV X7R 0805

Hersteller: Knowles Syfer
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