GP1M018A020FG

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Spezifikation

Artikelnummer

GP1M018A020FG
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP1M018A020FG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220F
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max)

30.4W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 18A (Tc) 30.4W (Tc) Through Hole TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

18A (Tc)

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Das Folgende sind "GP1M018A020FG" -Einziper.

GP1M016A060H

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M018A020FG

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