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5788013GAP3SLT33-220FP-Bild.GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-220FP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GAP3SLT33-220FP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 300mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    3300V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220FP
  • Geschwindigkeit
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    0ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2 Full Pack
  • Andere Namen
    1242-1183
    GAP3SLT33220FP
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Silicon Carbide Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA Through Hole TO-220FP
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 3300V
  • Strom - Richt (Io)
    300mA
  • Kapazität @ Vr, F
    42pF @ 1V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    GAP3SLT33
SFS1003GHMNG

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
LL4002G L0

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A MELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GAP9

GAP9

Beschreibung: FRONT SAFETY COVER CC9-150

Hersteller: Carlo Gavazzi
vorrätig
MBR1690HC0G

MBR1690HC0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 16A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GAP185

GAP185

Beschreibung: FRONT SAFETY COVER CC185-800

Hersteller: Carlo Gavazzi
vorrätig
FESF16HTHE3/45

FESF16HTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 16A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
GAP3SLT33-214

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RS1M M2G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GAP05SLT80-220

GAP05SLT80-220

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
CDBF00340-HF

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 1005

Hersteller: Comchip Technology
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1N5406GP-TP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
BAV101 L1G

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Beschreibung: DIODE GP 250V 200MA MINIMELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1PMHE3/85A

S1PMHE3/85A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SURS8140T3G-VF01

SURS8140T3G-VF01

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
TSF20H120C-S C0G

TSF20H120C-S C0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 120V 10A ITO220AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
UH10FT-E3/4W

UH10FT-E3/4W

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYG20GHE3_A/I

BYG20GHE3_A/I

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
CDSV-21-G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
JANTX1N5804URS

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
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ESH1PC-M3/84A

ESH1PC-M3/84A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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