SUG90090E-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SUG90090E-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SUG90090E-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247AC
Serie

ThunderFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

395W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

SUG90090E-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5220pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

129nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 200V 100A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-247AC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "SUG90090E-GE3" -Einziper.

SI9407BDY-T1-E3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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