SUD40N02-08-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SUD40N02-08-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 40A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SUD40N02-08-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252, (D-Pak)
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Verlustleistung (max)

8.3W (Ta), 71W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2660pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 40A (Tc) 8.3W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

40A (Tc)

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Das Folgende sind "SUD40N02-08-E3" -Einziper.

SUD35N10-26P-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SUD40N02-08-E3

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